「平坦化技術」で、微細化と高集積化に挑む

CMP装置ではウェーハを平坦化し、洗浄・乾燥させるという一連の工程を行っています。配線幅はnm（ナノメートル）単位となっているため、平坦化もnm単位の精度が求められます。具体的には直径30cmのウェーハに対して10nm以内の平坦化精度となり、これはウェーハを山手線の内側の広さ（平均直径約10km）に例えると、その高低差を5mm以内の精度で平らにするのと同じレベルとなります。このような高精度な平坦化技術は、最先端の半導体デバイスの高集積化に貢献しています。

精密・電子カンパニーのこうした技術は、1992年にCMP装置の初号機を出荷して以来、お客さまに寄り添って開発を続けてきたことによって実現できています。荏原グループは今後も最先端の半導体製造に向けて技術開発を行ってまいります。