14オングストロームへの挑戦

半導体の高性能化はめざましく、1960年代に誕生してから現在に至るまでに配線幅は約10,000分の1まで細くなっています。かつてトランジスタを一つ置いていた面積に、今は10,000個以上のトランジスタが詰め込まれ、かつては数層しかなかった半導体が今や高層ビルのように数百層積み上げられています。今や半導体を構成する配線幅はnm（ナノメートル）単位を超えてÅ（オングストローム）レベルに達しようとしています。

こうした日進月歩の進化をさらに進めるため、当社は先端開発を続けます。半導体を精確かつ大容量に集積させるためには、不純物のほとんどない環境で反応を起こさせたり、ウェーハの表面を限りなく平坦に研磨したりする必要があります。そのために当社の「ドライ真空ポンプ」や「CMP装置」などの製品が活躍しています。

より便利な未来の暮らしには今まで以上に高性能かつ大量の半導体が必要です。そのために当社は開発力と生産能力を強化し続けます。私たちは日常生活で使うような製品を作っているわけではありませんが、未来のより便利な暮らしを支える半導体の製造工程で、大きなチャレンジをし続けています。